舒志杰的院士申请已经提交，没有人会反对、敢反对，大概率跑不了。
“确实要大大记上一功，林博士，你改变了一个产业的格局。”
常乐说。
“谢谢老板、曾总、刘院长，总算成功了。”
林丽欣然点头。
“刘院长、林博士，材料溶液按照研究院保密规则办理，等公司通知。”
曾熙说。
“好！”
碳基芯片最大障碍，就是高纯度碳纳米管制备问题。
一旦解决这个问题，那么碳基芯片的应用，就能插上产业化翅膀，飞进千万寻常百姓家。
至于碳纳米管芯片的研发、设计、制造，包括设备，基本可以延续硅基芯片这一因为，碳纳米管结构与硅基芯片结构高度相似，制造方式也大差不差。
同样需要涂胶显影、光刻、刻蚀、离子注入、氧化退火、清洗、物理气相沉积和化学气相沉积等八大工艺。
一个都少不了。
要说区别。
就是碳纳米管芯片与硅基芯片相比，工作频率更高，极限在100GHZ。
而硅基芯片的工作频率极限为10GHZ，10倍差距。
功耗，碳纳米管芯片只有硅基芯片的15。
因此，采用90纳米工艺的碳纳米管芯片，其性能和集成度，相当于或者高于24纳米技术节点的硅基芯片。
采用28纳米工艺的碳纳米管芯片，其性能和集成度，相当于或者高于7纳米技术节点的硅基芯片。
以此类推，如果是10纳米工艺的碳纳米管芯片，则基本等同于摩尔定律极限的硅基芯片。
3纳米？
2纳米？
1纳米？
根据京城大学研究团队研究结果表明：
碳纳米管在达到理论极限（1纳米）时，可以天然克服短沟道效应。
短沟道效应，通俗讲，就是硅基芯片摩尔定律触顶后，会漏电、电压不稳、电流不稳。
因此，碳纳米管芯片无需采用复杂的三维晶体管技术，如FinFET（鳍式场效应晶体管）。
同时，碳基芯片的制造工艺，相较于硅基芯片，要相对简单。
而按照斯坦福大学研究报告称，如果将碳纳米管芯片设计成三维结构，性能是二维硅基芯片的1000倍。
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